康奈尔大学等研发AlN半导体技术获美国DARPA资助
发布时间：2024-09-06 01:39 浏览量：14
据technology 9月5日报道，氮化铝（AIN）是一种很有前途的下一代半导体材料，但技术挑战限制了它的广泛应用。康奈尔大学的研究人员与佛罗里达州的科技公司 Lit Thinking 合作，近日在美国国防高级研究计划局 (DARPA) 的资助下，致力于克服其中一些关键限制。
康奈尔大学牵头的项目将专注于开发具有极低导通电阻的氮化铝基PIN二极管，以降低大功率应用中的功率损耗和热量产生。“由于氮化铝通常是一种极好的电绝缘体，因此使其具有导电性，是利用其惊人特性的关键。”首席研究员、电气和计算机工程系 David E. Burr 教授 Debdeep Jena 说道。“在这个 DARPA 项目中，我们的跨学科团队正在研究几种新想法，以释放这种超宽带隙半导体的潜力。”
该拨款是 DARPA 微系统技术办公室超宽带隙半导体项目的一部分，该项目旨在开发用于各种商业应用的材料，包括用于雷达和通信系统的高功率射频设备、用于电力电子的高压开关、用于极端环境的高温电子设备和传感器，以及深紫外发光二极管和激光器。
（编译：雅慧）
链接：